尼克·霍洛尼亚克Nick Holonyak Jr.:

出生:(1928-11-03)1928年11月3日 美国伊利诺伊州齐格勒

逝世:2022年9月18日(2022岁—09—18)（93岁） 美国伊利诺伊州厄巴纳

国籍: 美国

母校:伊利诺伊大学厄巴纳-香槟分校; BS 1950, MS 1951, PhD 1954

奖项:美国国家工程院 (1973)美国国家科学院 (1984),IEEE爱迪生奖章 (1989)美国国家科学奖章 (1990)美国国家技术与创新奖章（英语：National Medal of Technology） (2002)IEEE荣誉奖章 (2003)麻省理工学院莱梅尔逊奖（英语：Lemelson-MIT Prize） (2004)美国国家发明家名人堂（英语：National Inventors Hall of Fame） (2008)

科学生涯

研究领域:电子工程

论文:Effect of Surface Conditions on Characteristics of Rectifier Junctions（1954）

博士导师:约翰·巴丁

小尼克·霍洛尼亚克（英语：Nick Holonyak Jr.，乌克兰语：Микола Голоняк，1928年11月3日—2022年9月18日），出生于伊利诺伊州齐格勒，美国物理学家，于1962年发明了第一台实用的可见光发光二极管，担任通用电气公司在纽约州锡拉丘兹实验室的顾问科学家。他一直在伊利诺伊大学厄巴纳-香槟分校教授电气和计算机工程、物理和电气和计算机工程。