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蔡浩
2023-05-09 17:31
  • 蔡浩
  • 蔡浩 - 博士 副研究员-东南大学-微电子学院-个人资料

近期热点

资料介绍

个人简历


2010.08-2013.09:法国巴黎高科电信学院-巴黎第六大学博士研究生,获工学博士学位;
2013.10-2015.03:巴黎高科电信学院博士后,负责欧盟尤里卡计划子课题;
2015.04-2017.12:巴黎高科电信学院通信电子系助理教授;
2018.02-目前:东南大学电子学院副研究员
2018-目前:国际电子电气工程师学会(IEEE)电路与系统分会,纳米与千兆系统程序委员会委员

【研究成果】
完成欧盟科技署尤里卡计划(Catrene-Eureka-2011)(课题负责人),完成法国科研署(ANR)国家项目一项及意法半导体纳米2017专项。在IEEE电路/器件可靠性各类期刊发表多篇论文,其中SCI论文30余篇,

研究领域


新型存储器件与电路(MRAM, TFET)硅基混合集成电路设计与方法学,高能效存算融合电路与系统""

近期论文


[1] Y Zhou, H Cai, B Liu, W Zhao, J Yang, MTJ-LRB: Proposal of MTJ-based Loop Replica Bitline as MRAM Device-Circuit Interaction for PVT-Robust Sensing, IEEE Trans. on Circuits and Systems II: Express Briefs, 2020
[2] Y Zhou, H Cai, L Xie, M Han, M Liu, S Xu, B Liu, W Zhao, J Yang, A Self-Timed Voltage-Mode Sensing Scheme With Successive Sensing and Checking for STT-MRAM, IEEE Trans. on Circuits and Systems I: Regular Papers, 2020
[3] H Cai, Y Wang, LNaviner, X Liu, W Shan, J Yang, W Zhao, Addressing failure and aging degradation in MRAM/MeRAM-on-FDSOI integration, IEEE Trans. on Circuits and Systems I: Regular Papers 66 (1), 239-250, 2019
[4] H Cai, Y Wang, L Naviner, W Zhao, Robust ultra-low power non-volatile logic-in-memory circuits in FD-SOI technology, IEEE Trans. on Circuits and Systems I: Regular Papers 64 (4), 847-857, 2017

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